ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવન કોટિંગ

ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવન પદ્ધતિ એ વેક્યુમ બાષ્પીભવન કોટિંગનો એક પ્રકાર છે, જે શૂન્યાવકાશની સ્થિતિમાં બાષ્પીભવન સામગ્રીને સીધી ગરમ કરવા, બાષ્પીભવન સામગ્રીને બાષ્પીભવન કરવા અને તેને સબસ્ટ્રેટમાં પરિવહન કરવા અને પાતળા ફિલ્મ બનાવવા માટે સબસ્ટ્રેટ પર કન્ડેન્સ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોન બીમનો ઉપયોગ કરે છે.ઇલેક્ટ્રોન બીમ હીટિંગ ડિવાઇસમાં, ગરમ પદાર્થને વોટર-કૂલ્ડ ક્રુસિબલમાં મૂકવામાં આવે છે, જે બાષ્પીભવન સામગ્રી અને ક્રુસિબલ દિવાલ વચ્ચેની પ્રતિક્રિયાને ટાળી શકે છે અને ફિલ્મની ગુણવત્તાને અસર કરી શકે છે.એકસાથે અથવા અલગ બાષ્પીભવન અને વિવિધ પદાર્થોના જુબાની પ્રાપ્ત કરવા માટે ઉપકરણમાં બહુવિધ ક્રુસિબલ્સ મૂકી શકાય છે.ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવન સાથે, કોઈપણ સામગ્રી બાષ્પીભવન કરી શકાય છે.

ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવન ઉચ્ચ-ગલનબિંદુ સામગ્રીને બાષ્પીભવન કરી શકે છે.સામાન્ય પ્રતિકારક હીટિંગ બાષ્પીભવનની તુલનામાં, તેમાં ઉચ્ચ થર્મલ કાર્યક્ષમતા, ઉચ્ચ બીમ વર્તમાન ઘનતા અને ઝડપી બાષ્પીભવન ઝડપ છે.વાહક કાચ જેવી વિવિધ ઓપ્ટિકલ સામગ્રીની ફિલ્મ અને ફિલ્મ.
ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવનની લાક્ષણિકતા એ છે કે તે લક્ષ્ય ત્રિ-પરિમાણીય બંધારણની બે બાજુઓને આવરી લેશે નહીં અથવા ભાગ્યે જ આવરી લેશે, અને સામાન્ય રીતે ફક્ત લક્ષ્ય સપાટી પર જ જમા થાય છે.આ ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવન અને સ્પુટરિંગ વચ્ચેનો તફાવત છે.

ઇલેક્ટ્રોન બીમ બાષ્પીભવનનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે સેમિકન્ડક્ટર સંશોધન અને ઉદ્યોગના ક્ષેત્રમાં થાય છે.ત્વરિત ઇલેક્ટ્રોન ઉર્જાનો ઉપયોગ ભૌતિક લક્ષ્યને પ્રહાર કરવા માટે થાય છે, જેના કારણે ભૌતિક લક્ષ્ય બાષ્પીભવન થાય છે અને વધે છે.આખરે ટાર્ગેટ પર જમા થયા.